製造商產品編號:
TSM900N06CH X0G
Product Overview
製造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
零件編號:
TSM900N06CH X0G-DG
描述:
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
详细描述:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
庫存:
48855 全新原裝現貨
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TSM900N06CH X0G 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Taiwan Semiconductor
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
11A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
500 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
25W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-251 (IPAK)
包裝 / 外殼
TO-251-3 Stub Leads, IPak
基本產品編號
TSM900
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
75
其他名稱
TSM900N06CH X0G-DG
TSM900N06CHX0G
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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